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钟罩炉石墨盘是钟罩炉系统中的中心部件，首要用于承载工件并在高温环境下结束均匀加热，其用处广泛，包含多个高精度热处理范畴。以下是其具体用处的具体分析：
1.半导体制作
晶圆热处理
    在集成电路制作中，石墨盘用于晶圆的退火、氧化、懈怠、外延成长等工艺。例如，在懈怠工艺中，石墨盘承载晶圆并均匀加热至1000℃以上，确保掺杂剂均匀懈怠到晶圆外表，构成安稳的PN结。
    要害要求：温度均匀性需控制在±1℃以内，防止晶圆内部应力或电学功用差异。
外延层堆积
    在LED芯片和功率器件制作中，石墨盘用于承载晶圆进行外延层堆积（如GaN、SiC）。其高纯度（≥99.99%）和低杂质特性可防止污染外延层，确保器件功用。
2.光伏工业
硅片懈怠与钝化
    在PERC、TOPCon等高效电池片制作中，石墨盘用于硅片的磷懈怠（N型）或硼懈怠（P型），以及不好钝化层（如AlOx、SiNx）的堆积。
    要害作用：石墨盘的高导热性确保硅片外表温度均匀，防止懈怠浓度梯度导致的功率不坚决。
高温烧结
    在银浆烧结工艺中，石墨盘承载电池片并加热至800-900℃，使银浆与硅片构成欧姆触摸，下降触摸电阻。
3.热处理与金属加工
粉末冶金烧结
    在硬质合金、陶瓷粉末的烧结过程中，石墨盘作为承载东西，供应均匀的热场，确保烧结体密度和功用共同。
    优势：石墨的耐高温性（最高可达3000℃）和化学安稳性可防止与金属粉末发生反应。
淬火与回火
    在金属零件的热处理中，石墨盘用于承载工件进行淬火（快速冷却）或回火（消除应力），行进零件的硬度和耐性。
4.先进资料制备
碳化硅（SiC）单晶成长
    在物理气相传输（PVT）法成长SiC单晶时，石墨盘作为坩埚或籽晶托盘，接受2000℃以上的高温，并坚持热场安稳。
    应战：石墨盘需具有高纯度（防止碳污染）和抗热震性（接受快速升降温）。
石墨烯制备
    在化学气相堆积（CVD）法成长石墨烯时，石墨盘作为基底，承载铜箔或镍箔并加热至1000℃左右，促进碳原子堆积构成石墨烯薄膜。
5.科研与新资料开发
高温试验途径
    在资料科学研究中，石墨盘用于高温拉曼光谱、X射线衍射等试验，供应安稳的加热和承载途径。
    优势：石墨的低布景信号可削减对试验作用的烦扰。
新式半导体资料检验
    在氧化镓（Ga2O2）、氮化铝（AlN）等宽禁带半导体资料的研发中，石墨盘用于高温掺杂、退火等工艺，验证资料功用。
6.钟罩炉石墨盘的中心优势
    高温安稳性：可接受2000℃以上的高温，适用于极点工艺条件。
    化学慵懒：在高温下不与大多数资料反应，防止污染工件。
导热均匀性：经过优化规划（如导热铜管、分区加热），结束盘面温度均匀性±1℃以内。
    可定制性：可根据工件形状（如圆形、方形）和标准定制凹槽、凸台等结构。
7.运用案例
案例1：半导体晶圆懈怠
    某芯片制作厂运用钟罩炉石墨盘进行12英寸晶圆的磷懈怠，工艺温度1050℃，懈怠时刻60分钟。石墨盘经过导热铜管结束温度均匀性±0.8℃，晶圆方块电阻均匀性≤3%。
案例2：光伏电池片烧结
    某光伏企业采用石墨盘进行PERC电池片的银浆烧结，工艺温度850℃，升温速率50℃/s。石墨盘的高导热性使电池片转化功率行进0.15%。
    钟罩炉石墨盘的中心用处是在高温环境下为工件供应均匀、安稳的热场，其运用掩盖半导体、光伏、热处理、先进资料等多个范畴。跟着半导体工艺节点缩小和光伏电池功率行进，对石墨盘的温度均匀性、纯度和机械强度要求越来越高。未来，跟着第三代半导体（如SiC、GaN）和柔性电子的发展，钟罩炉石墨盘将在更苛刻的工艺条件下发挥要害作用。