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石墨盘可经过以下方法优化结构规划，以提升外延片成长的均匀性、质量和出产功率：
凹槽与支撑结构优化：
设置支撑部件：在凹槽的上外表设置支撑部件，将衬底悬置，削减凹槽底面与衬底底面的触摸面积，使传热方法由热传导优化为以热辐射为主，进步衬底受热的均匀性。支撑部件的原料可为石墨，可与石墨盘一体化加工或独自加工后固定，形状可为球形、锥形、条状或块状等，数量为一个或多个。
规划周期性斜面凹槽和凸起：在放置区的边际方位设置周期性斜面凹槽和凸起，可削减晶圆边际与石墨盘的粘接，进步取片便捷性，下降晶圆边际损伤；同时添加边际气流的流动性，削减甚至消除气体湍流，使晶圆的径向温场更均匀。
调整凹槽内突起散布：针对晶圆在旋转过程中受离心力影响易向远离石墨盘中心的方向偏移的问题，调整凹槽内突起的方位，使其愈加集中于晶圆易偏移的方位，增大晶圆所受摩擦力，减小边际温度差异。例如，将部分突起调整至更远离石墨盘中心的方位，如126°、156°、204°以及234°等方位。
添加突起数量：经过添加突起的数量，添加晶圆片与突起的触摸面积，进而增大石墨盘高速旋转时晶圆片所受的摩擦力，安稳晶圆片的方位，下降其受离心力所导致的边际温度差异影响，进步晶圆片的成长质量。
热传导与热辐射调控：
设置凹槽削减热传导：在衬底边际附近的石墨盘中设置孔洞，或设置第二凹槽、第三凹槽等，减小对衬底边际的热辐射或热传导，下降衬底边际的温度，进步衬底的温度散布均匀性。例如，第二凹槽设置在榜首凹槽的底面与盘体的底面之间，其宽度可根据衬底的边际尺度确认；第三凹槽呈球形，设置在榜首凹槽的底面，使石墨盘对衬底中部的加热方法由热传导优化为以热辐射为主。
设置绝热层：在石墨盘与支撑部件或许支撑部件与衬底之间设置绝热层，削减热传导，进一步进步衬底受热的均匀性。绝热层的原料可以为石英、氮化硼、蓝宝石、陶瓷或氧化钴等。
气流与温度场优化：
规划凸起结构形成湍流：在凹槽的侧壁设置多个凸起结构，使流入侧壁与行星盘之间缝隙区域的载流更简单形成湍流状态的载流场，避免副反应生成物堆积，防止行星盘旋转遭到阻止，进步外延片的均匀性。
优化凹槽形状与尺度：合理规划凹槽的深度、直径和形状，如将凹槽的侧壁和底部规划为V型，使凹槽底部的直径大于顶部的直径，整个凹槽呈圆台状，确保衬底在随石墨盘旋转过程中的方位相对安稳。
资料与工艺改善：
选择适宜资料：支撑架等部件的原料可选用透明原料，如石英、氮化硼、蓝宝石、陶瓷或氧化锆等，确保热量可以透过支撑架传输至衬底。
一体化加工：对于支撑部件等结构，可采用与石墨盘一体化加工的方法，进步结构的安稳性和精度。