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半导体制作中的石墨制品大揭秘
在半导体制作的国际里，石墨制品扮演着至关重要的人物。高纯石墨制品在第三代半导体单晶成长设备中有着广泛的运用，尤其是在碳化硅（SiC）单晶成长炉中。
SiC单晶成长的石墨坩埚和加热器
在制备SiC单晶的过程中，PVT（物理气相传输）办法是最老练和常用的技能。这种办法运用感应线圈加热，经过涡流效果使高密度石墨发热体升温。碳化硅粉体被填满在石墨坩埚的底部，而碳化硅籽晶则粘结在坩埚盖的内部。经过调节外部石墨毡的温度，可以使碳化硅质料处于高温区，而籽晶则处于低温区。
在这个过程中，高纯石墨坩埚、碳纤维硬毡、籽晶托等都是必不可少的。这些石墨制品不仅需求高纯度，还要能够承受高温而不污染SiC质料和晶体。为了防止石墨在高温下受到尘埃和杂质的影响，一般会在它们的外表涂上高纯度、高致密的涂层。
外延成长的石墨盘
外延工艺是指在单晶衬底上成长一层与衬底具有相同晶格摆放的单晶资料。在硅和碳化硅的外延工艺中，晶片一般承载在石墨盘上。这些石墨盘有桶式、煎饼式和单晶片等多种类型。
离子注入设备的石墨部件
离子注入是一种改变资料表层物质特性的工艺，经过将硼、磷、砷等离子束加速到必定能量，然后注入晶圆资料的表层内来实现。离子注入设备的部件需求具有优异耐热性、导热性和低杂质含量的特性。高纯石墨因其超卓的物理功能，是这些部件的理想挑选。
等离子蚀刻设备的石墨部件
等离子蚀刻是一种在单晶衬底上成长一层与衬底具有相同晶格摆放的单晶资料的技能。在这个过程中，晶片相同需求承载在石墨盘上。石墨盘的类型有桶式、煎饼式和单晶片等多种挑选。
柔性石墨箔
柔性石墨箔由天然膨胀石墨制成，在半导体运用中有着广泛的运用。它可以提高体系和工艺的功能，降低能耗并保证可靠性。柔性石墨箔可用于半导体生产设备中的保温筒、隔热资料、柔性层、密封资料等各种零部件。
总之，石墨制品在半导体制作中扮演着至关重要的人物，无论是SiC单晶成长、外延工艺仍是离子注入和等离子蚀刻，都离不开这些高功能的石墨资料。
